大功率LED封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面。这些因素彼此既相互独立，又相互影响。其中，光是LED封装的目的，热是关键，电、结构与工艺是手段，而性能是封装水平的具体体现。从工艺相容性及降低生产成本而言，LED封装设计应与晶片设计同时进行，即晶片设计时就应该考虑到封装结构和工艺。 否则，等晶片制造完成后，可能由于封装的需要对晶片结构进行调整，从而延长了产品研发周期和工艺成本，有时甚至不可能。具体而言，大功率LED封装的关键技术包括： 1、低热阻封装工艺； 2、高取光率封装结构与工艺； 3、阵列封装与系统集成技术； 4、封装大生产技术； 5、封装可靠性测试与评估。
LED灯珠应是容、感性负载的问题： 其实两者都不是，LED灯珠就是一个二级管，它需要一个正向的导通电压就能工作，一般是2-3.5V，此外，电流大小可以控制LED灯珠的亮度。也就说LED灯珠只是把电能转换为了光能。 与LED灯珠光衰大的原因： 小功率LED的衰减有四个方面的原因： （1）铁支架导热不良。 （2）环氧树脂黄化。 （3）芯片与支架接触不够紧密。 （4）芯片衰减大。如果是白光，还有荧光粉衰减的问题。
led大功率灯珠的LED芯片有哪些技术难题？尤其是大功率 LED 芯片，面临的主要技术难点主要是以下几个方面： 1、发光效率低 虽然各厂家量产的封装后的白光 LED 出光效率都达到 100lm/w 以上，但是相比较于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。大尺寸的 LED 芯片由于尺寸较大，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。 2、电流扩散不均匀 对于大功率 LED 芯片而言，需要大的电流驱动（一般为 350mA），为了得到均匀的电流扩散，需设计合理的电极结构以使得电流在 P 型层面得到均匀分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸较大，同时 P 型层的电流很难在 P 型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。 3、光电特性不稳定 由于大功率 LED 芯片器件出光效率底下，大量光线被器件内部吸收，这些被吸收的光线在器件内部转换成热能，造成 LED 芯片结温的升高，结温的升高不但会造成光衰严，严重影响了 LED 芯片的寿命，同时温度的升高会导致芯片的蓝光波峰向长波长方向偏移（即红移），造成芯片的发光波长和荧光粉的激发波长不匹配，也会造成显色性的降低。 4、产业化研究光效远低于实验室研发水平 国际上主流的 LED 芯片厂商，虽然实验室研发已到达较高的水平，但是产业化的研究水平依然底下，造成其主要的原因是产业化不但要考虑到成本的需求同时还要兼顾生产工艺的复杂程度以及芯片良率的问题。
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